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PW-UVB UVC WAFER晶圆晶片外延片
| 干式蚀刻技术 |
| 在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻(又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。 |
| 电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。 |
| 晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。 |
| 基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行: |
| 1．电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。 |
| 2．电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（ sputtering）出来。 |
| 化学气相沉积技术 |
| 化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时，包含有被沉积材料之原子的气体，会被导入受到严密控制的制程反应室内。当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时，会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。 |
| CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有，不过最重要的是其厚度都必须足够均匀。较为常见的CVD薄膜包括有: |
| 二气化硅（通常直接称为氧化层> |
| 氮化硅 |
| 隆兴达的主力产品有: 紫外UVALED，UVCLED, UVCHIP,UVB芯片,韩国PW芯片,UVACHIP,wafer晶圆,外延片, AIN, TES MOCVD,AlGaN, 外延炉,第三 代半导体，LD激光二极管等 |
| 3535 265nm 275nm 295nm 310nm 365nm 385nm 395nm 405nm 灯珠 CHIP |
| 4545 265nm 275nm 295nm 310nm 365nm 385nm 395nm 405nm 灯珠 CHIP等等 |
| 4747 365nm 385nm 395nm 405nm 灯珠 |
| 7070 365nm 385nm 395nm 405nm 灯珠等等 |
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